ED屬于電光轉(zhuǎn)換的半導體器件。其電氣特性如下:
1、伏安特性,具體是指溫度一定時,流過LED的不同電流對應LED的正向壓降關系圖。
2、電光的轉(zhuǎn)換效率,其單位為流明/瓦(lm/W),即LED以某個電流工作時,LED的輸出光通量與輸入電功率的比值。
3、反向擊穿電壓,這個是指當LED在反偏時,所能承受的電壓值。
4、反向漏電流,指LED反偏時,流過PN節(jié)的反向電流,越小越好。
主要是上面幾種,還有其他一些如防靜電等級,抗浪涌能力等。
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led的特性有非常小,耗電相當?shù)?,照明效果比傳統(tǒng)光源節(jié)能近百分之八十。使用壽命長比傳統(tǒng)光源壽命長10倍以上。發(fā)熱量低,綠色環(huán)保,堅固耐用等特點。
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您好,LED作為一個電致發(fā)光的P-N結(jié)器件,其特性可通該P-N結(jié)的電學參數(shù),以及作為一個發(fā)光器件的光學參數(shù)來進行描述。除了電學特性,還需采用一系列的光學參數(shù)來描述LED器件的性能,其中較為重要的參數(shù)為器件的峰值波長與光強??梢姽鈱匐姶挪ǚ懂牐ǔ?梢杂貌ㄩL來表達人眼所能感受到的。可見光的輻射能量,一般可見光的波長范圍在380nm―760nm之間,波長越長,其相應的光子能量就越低,光的顏色也顯得越紅,當光子的波長變短時,光將逐漸由紅轉(zhuǎn)黃,進而變綠變蘭,直至變成紫色。對于一個LED器件,其所發(fā)的光會在峰值λP處有所展開,其波長半寬度通常為10―30nm,半寬度越越小,說明LED器件的材料越純,性能越均勻,晶體的完整性也越好。光強是衡量LED性能優(yōu)劣的另一個重要參數(shù),通常用字母Iv來表示。光強的定義是,光在給定方向上,單位立體角內(nèi)發(fā)了1流明的光為1燭光,其單位用坎德拉(cd)表示。其關系可用公式(6-1)表征:
Iv=dφ/dΩ(6-1)
式中φ的單位為流明,Iv的單位即是cd,dΩ是單位立體角,單位為度。一個超亮LED芯片的法向光強一般在30―120mcd之間,封裝成器件后,其法向光強通常要大于1cd.
光通量是判別LED發(fā)光效率的一個更為客觀的參量,它表示單位時間內(nèi)電發(fā)光體發(fā)出的光能的大小,單位為流明(lm)。通常白熾燈與熒光燈的光效分別為15lm/w與60lm/w,燈泡的功率越大,光通量越大。對于一個性能較高的LED器件,光效為20lm/w,實驗室水平也有達到100lm/w的。為使LED器件更快地用于照明,必須進一步提高LED器件的發(fā)光效率,估計10年后,LED的光效可達200lm/w。屆時,人類將會迎來一個固態(tài)光源全面替代傳統(tǒng)光源的新時代。
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